Исследователи Гонконгского университета разработали программируемую криогенную нейроморфную платформу на базе транзисторов из карбида кремния. Она имитирует импульсную активность нейронов при температурах до 10 мК.
В основе разработки — управляемое отрицательное дифференциальное сопротивление в SiC MOSFET-транзисторах. Эффект проявляется при охлаждении ниже 2 К и позволяет создавать энергоэффективные нейроморфные схемы, включая сенсорные, логические и интегрирующие нейроны.
Авторы рассматривают платформу как способ снизить тепловыделение и объем проводки в криогенных системах управления кубитами. Среди возможных применений — квантовая коррекция ошибок, управление кубитами в реальном времени и электроника для глубокого космоса.
US SEC and CFTC Sign MoU to Coordinate Crypto Regulation and...
Kraken Announces Pi Network Listing Ahead of Pi Day PI Price...
UEX US Expands Its Ecosystem: A Platform Where Digital Asset...
XRP Price Prediction: Can Bulls Push XRP Above $2 After This...
ETH News: Why Institutions Keep Choosing Ethereum Over Other...
Trump-Linked WLFI Launches World Swap Forex Platform
Thailand Approves Bitcoin for Derivatives Market, Crypto ETF...
Coinbase CEO Brian Armstrong Sells $550M in Shares as COIN S...
